以下是对这些存储器类型的解释：

单体单字存储器：

单体单字存储器是最基础的存储器类型，它只有一个存储体（memory bank）和单一的数据总线。在每个存取周期中，存储器只能访问和传输一个字（word）的数据。字是存储器中最小的可寻址单位，包含固定数量的位（bit）。例如，如果一个字是16位，那么在一次操作中，存储器可以读取或写入16位的数据。

单体多字存储器：

单体多字存储器同样只有一个存储体，但与单体单字存储器不同的是，它能够在一次存取周期中并行地访问和传输多个字的数据。这种存储器的总线宽度与它可以同时访问的字数相匹配。例如，如果一个单体多字存储器可以在一次操作中并行访问4个字，那么它的总线宽度就是4个字的位数总和。

多体单字交叉访问存储器：

多体单字交叉访问存储器包含多个独立的存储体（也称为bank或者module）。在每个存取周期中，虽然每个存储体只能访问一个字的数据，但是通过交叉访问（interleaving）技术，不同存储体可以在同一周期内并行工作。这意味着在一个周期内，系统可以从不同的存储体中获取多个字的数据，从而提高数据传输速率。交叉访问通常需要复杂的地址解码和调度机制来确保在不增加存取周期的前提下增加带宽。

多体多字存储器：

多体多字存储器结合了多体和多字的概念。它包含多个存储体，并且每个存储体在一次存取周期中可以并行地访问和传输多个字的数据。这种存储器设计提供了极高的数据传输速率和带宽，因为它可以在一个周期内从多个存储体中并行获取大量的数据。然而，这种设计也带来了更高的复杂性和可能的冲突问题，需要有效的管理和调度策略来优化性能。